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SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽車級(jí)碳化硅功率 MOSFET 晶體管，采用ST先進(jìn)的第三代SiC MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)而成，具有高開(kāi)關(guān)速度和堅(jiān)固的內(nèi)建體二極管，適用于高頻應(yīng)用。此外，SCT016H120G3AG符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車電子領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：SCT016H120G3AG

封裝 / 箱體：H2PAK-7

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：112 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：22 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：150 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：652 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

配置：Single

下降時(shí)間：23 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

封裝：MouseReel

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：22 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：126 ns

典型接通延遲時(shí)間：46 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。