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深圳市明佳達電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IPD70R600P7S

產(chǎn)品說明：表面貼裝型 N 通道 700 V 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3

封裝：PG-TO252-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGHU30M65DF2AG
ST

產(chǎn)品說明：650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT

封裝：HU3PAK-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60V60DF
ST

產(chǎn)品說明：600 V、60 A超高速溝槽柵場截止IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60H65DFB
ST

產(chǎn)品說明：650 V、60 A高速溝槽柵場截止HB系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40M120DF3
ST

產(chǎn)品說明：1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW8M120DF3
ST

產(chǎn)品說明：1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H65DFB
ST

產(chǎn)品說明：650 V、40 A高速溝槽柵場截止HB系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H120DF2
ST

產(chǎn)品說明：1200 V、40 A高速溝槽柵場截止H系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30V60DF
ST

產(chǎn)品說明：600 V、30 A超高速溝槽柵場截止V系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW10M65DF2
ST

產(chǎn)品說明：溝槽柵場截止IGBT晶體管，M系列，650 V、10 A，低損耗

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30NC120HD
ST

產(chǎn)品說明：N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 單管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STL26N60DM6
ST

產(chǎn)品說明：N溝道600 V、175 mOhm典型值、15 A MDmesh DM6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封裝

封裝：PowerFLAT 8x8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KWATL

產(chǎn)品說明：N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWATL

產(chǎn)品說明：N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWAHRTL

產(chǎn)品說明：汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DWATL

產(chǎn)品說明：N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共2651記錄?上一頁1234...166下一頁?
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