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IPC100N04S5-2R8是一款汽車級 N 溝道增強型功率 MOSFET，屬于 OptiMOS?-5 系列，采用 PG-TDSON-8 封裝形式，具備低導(dǎo)通電阻、高耐壓、大電流承載能力和快速開關(guān)速度等特點，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，專為汽車應(yīng)用設(shè)計，能夠滿足汽車電子系統(tǒng)對功率、效率和可靠性的嚴(yán)格要求。

產(chǎn)品特點

符合汽車級標(biāo)準(zhǔn) ：通過 AEC-Q101 認(rèn)證，確保在汽車應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。

低導(dǎo)通電阻 ：最大導(dǎo)通電阻僅為 2.8mΩ（V_GS=10V，I_D=50A），有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

高耐壓性能 ：漏源耐壓為 40V，能夠滿足汽車電氣系統(tǒng)中的電壓要求。

大電流承載能力 ：最大連續(xù)漏極電流可達 100A（T_C=25℃，V_GS=10V），短時脈沖電流可達 400A，適用于高功率應(yīng)用。

快速開關(guān)速度 ：具備快速的開關(guān)特性，有助于提高系統(tǒng)的動態(tài)響應(yīng)能力，其典型接通延遲時間為 6ns，典型關(guān)斷延遲時間為 11ns。

出色的熱性能 ：工作溫度范圍為 -55℃至 +175℃，能夠適應(yīng)汽車各種惡劣的工作環(huán)境，熱阻抗低，有助于散熱。

環(huán)保特性 ：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，屬于綠色產(chǎn)品。

IPC100N04S5-2R8產(chǎn)品屬性

 FET 類型：N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 100A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） ：7V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 2.8 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.4V @ 30μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 45 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 75W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TDSON-8-34  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN 

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