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商品名稱(chēng):碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:4000 件
DF4-19MR20W3M1HF 是英飛凌(Infineon)推出的一款 2000V/60A CoolSiC? MOSFET 功率模塊,采用 EasyPACK? 3B 封裝,專(zhuān)為高功率密度、高效率的工業(yè)及新能源應(yīng)用設(shè)計(jì)。該模塊集成了 4路Boost升壓電路,適用于光伏逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高電壓應(yīng)用場(chǎng)景。
規(guī)格參數(shù)
型號(hào):DF4-19MR20W3M1HF
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝:EasyPACK? 3B(12mm 高度)
電壓等級(jí):2000V(VDSS)
電流等級(jí):60A(IDN)/ 120A(IDRM)
柵極驅(qū)動(dòng)電壓: +15V ~ +18V(開(kāi)啟),0V ~ -5V(關(guān)斷)
最大結(jié)溫:175°C
開(kāi)關(guān)頻率:適用于高頻應(yīng)用(具體取決于散熱設(shè)計(jì))
集成功能:NTC 溫度傳感器、PressFIT 壓接技術(shù)
DF4-19MR20W3M1HF 典型應(yīng)用
光伏逆變器:1500V 光伏升壓電路,提高系統(tǒng)效率。
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng):伺服驅(qū)動(dòng)器、變頻器,減少開(kāi)關(guān)損耗。
電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電:高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。
儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS):高電壓電池管理及能量轉(zhuǎn)換。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類(lèi)型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶(hù)提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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