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IPDQ60R022S7AXTMA1（600V）CoolMOS? S7A功率器件適用于MOSFET在低頻下開關的xEV應用。該MOSFET的設計提供了成本優(yōu)化的低導通電阻RDS(on)，能夠提高功率密度并將傳導損耗降至最低。S7A MOSFET是符合最高汽車質量要求的車規(guī)級AEC-Q101器件。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 23A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.44mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 12 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5640 pF @ 300 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：416W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HDSOP-22-1

封裝/外殼：22-PowerBSOP 模塊

基本產(chǎn)品編號：IPDQ60R

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