功率 MOSFET IQD016N08NM5SC 具有 1.57 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。
這就為各種終端應用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。
特征
最先進的 80 V 硅技術
出色的 FOM
改進的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
優(yōu)勢
傳導損耗最小
降低電壓過沖
提高最大電流能力
快速開關
需要并聯的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
散熱性能提高
易于熱管理
最佳開關性能
行業(yè)標準封裝
應用
低壓驅動
電信基礎設施
電源
服務器電源
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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