商品名稱:FF45MR12W1M1B11BOMA1
數(shù)據(jù)手冊:FF45MR12W1M1B11BOMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
FF45MR12W1M1B11BOMA1 EasyDUAL? 1B 1200 V, 45 mΩ 半橋模塊, 采用 CoolSiC? MOSFET, 溫度檢測 NTC 和 PressFIT壓接技術(shù)。
規(guī)格
系列: CoolSiC?+
技術(shù) 碳化硅:(SiC)
配置: 2 N-通道(雙)
FET 功能: -
漏源電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :25A(Tj)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 45 毫歐 @ 25A,15V(標(biāo)準(zhǔn))
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 5.55V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) :62nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 1840pF @ 800V
功率 - 最大值: 20mW(Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝: AG-EASY1BM-2
優(yōu)勢
高效率,更易冷卻
更高的頻率
增加功率密度
優(yōu)化客戶的開發(fā)周期,降低成本
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電機控制和驅(qū)動
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…F3L600R10W3S7
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IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…電話咨詢:86-755-83294757
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