商品名稱：功率 MOSFET 晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-HDSOP-22
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IPDQ60R007CM8 是 600V CoolMOS? 8 功率 MOSFET 晶體管，采用 PG-HDSOP-22 封裝。
特性
7mΩ 器件
同類最佳 RDS(on)*A
顯著降低損耗
出色的換向堅固性
集成快速體二極管
.XT 互連
ESD 保護
頂部冷卻 QDPAK 封裝
2000 周期 TCoB
優(yōu)點
功率密度更高
易于使用和快速設計
振鈴趨勢低
簡化熱管理
簡化產(chǎn)品組合
兼容 SMT
降低裝配成本
減少雜散電感
減少空間
應用
固態(tài)斷路器
電機起動器
電源和轉換器
PFC 級和 LLC 諧振轉換器
高效開關應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
ISC037N12NM6
ISC037N12NM6 是 SuperSO8 封裝的普通級 120 V MOSFET晶體管，導通電阻為 3.7 mOhm。ISC037N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。ISC037N12NM6 產(chǎn)品屬性：系列：OptiMOS? 6FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：120 V25C 時…
ISC032N12LM6
ISC032N12LM6（N-通道功率MOSFET）：120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，采用 SuperSO8 封裝。產(chǎn)品詳情：型號：ISC032N12LM6封裝：PG-TDSON-8類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管說明：ISC032N12LM6 是 SuperSO8 封裝中的邏輯電平 120 V MOSFET，導通電阻為 3.2 mOhm。I…
IPB026N10NF2S
IPB026N10NF2S 是一款100V，StrongIRFET ? 2 單 N溝道功率 MOSFET晶體管，采用 DPAK 封裝，產(chǎn)品詳情如下所示：型號：IPB026N10NF2S封裝：PG-TO263-3（DPAK）類型：N-通道功率MOSFET應用：適用于輕型電動車解決方案規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SM…
S25HS02GTDZBHM053
S25HS02GTDZBHM053是專為汽車應用設計的SEMPER? NOR閃存系列產(chǎn)品。該器件具備2 Gbits存儲密度和Quad SPI接口，提供高達80 MByte/s的高帶寬。工作電壓為1.8V，支持SDR模式下133 MHz及DDR模式下80 MHz的接口頻率。此符合ISO 26262標準的器件采用英飛凌創(chuàng)新的45納米MIRRORB…
S70FL01GSDSBHMC13
S70FL01GSDSBHMC13是一款1Gbit 3V 80MHz NOR閃存。S70FL01GSDSBHMC13 規(guī)格參數(shù)存儲器類型：非易失性存儲器格式：閃存技術類型：閃存 - NOR存儲容量：1Gbit存儲器組織：128M x 8存儲器接口：SPI - 四通道I/O時鐘頻率：80 MHz電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V工作溫度：-40C ~ 125…電話咨詢：86-755-83294757
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