最新資訊2025年第三季度，NAND Flash市場(chǎng)迎來顯著價(jià)格上漲，其中512Gb及以下低容量產(chǎn)品漲幅預(yù)計(jì)超過15%，而1Tb以上高容量產(chǎn)品漲幅則在5%-10%之間。這一趨勢(shì)主要由原廠減產(chǎn)、供需失衡、制程升級(jí)等因素驅(qū)動(dòng)，并可能持續(xù)至2026年。1. 漲價(jià)幅度與最新價(jià)格256Gb TLC Flash Wafer：現(xiàn)價(jià)…
2025年第三季度，NAND Flash市場(chǎng)迎來顯著價(jià)格上漲，其中512Gb及以下低容量產(chǎn)品漲幅預(yù)計(jì)超過15%，而1Tb以上高容量產(chǎn)品漲幅則在5%-10%之間。這一趨勢(shì)主要由原廠減產(chǎn)、供需失衡、制程升級(jí)等因素驅(qū)動(dòng)，并可能持續(xù)至2026年。
1. 漲價(jià)幅度與最新價(jià)格
256Gb TLC Flash Wafer：現(xiàn)價(jià) 2.75美元/片（較年初上漲約32%）。
512Gb TLC Flash Wafer：現(xiàn)價(jià) 3.05美元/片（漲幅15%-18%）。
1Tb及以上高容量產(chǎn)品：現(xiàn)價(jià) 5.60美元/片（漲幅5%-10%）。
2. 漲價(jià)核心原因
原廠大幅減產(chǎn)：自2024年下半年起，美光、SanDisk等廠商削減產(chǎn)能，其中美光廣島廠NAND投片量減少40%，西部數(shù)據(jù)四日市工廠產(chǎn)能利用率降至65%。
低容量產(chǎn)品供應(yīng)收縮：512Gb以下產(chǎn)品長(zhǎng)期利潤(rùn)低，成為減產(chǎn)重點(diǎn)，導(dǎo)致供應(yīng)銳減。
制程轉(zhuǎn)向QLC/PLC：廠商加速232層以上高密度技術(shù)研發(fā)，傳統(tǒng)TLC產(chǎn)能減少12萬片/月。
終端需求穩(wěn)定：智能手機(jī)（eMMC）、IoT設(shè)備、工控存儲(chǔ)等仍依賴低容量NAND，Q3物聯(lián)網(wǎng)采購量同比增23%。
3. 市場(chǎng)影響與未來趨勢(shì)
下游廠商承壓：512GB SSD模組成本增加3-5美元，手機(jī)品牌延長(zhǎng)安全庫存周期至10周。
供應(yīng)緊張或延續(xù)至2026年：鎧俠新廠量產(chǎn)延期，QLC良率爬坡緩慢，低容量產(chǎn)品仍將短缺。
結(jié)語
NAND Flash市場(chǎng)正式進(jìn)入“量縮價(jià)揚(yáng)”周期，低容量產(chǎn)品因供需矛盾成為漲價(jià)主力，下游企業(yè)需調(diào)整備貨策略以應(yīng)對(duì)成本上升。
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