L6201PSTR是一款用于電機控制應用的全橋驅動器,采用 Multipower-BCD 技術,在同一芯片上結合了隔離 DMOS 功率晶體管、CMOS 和雙極電路。通過使用混合技術,可以優(yōu)化邏輯電路和功率級,從而實現最佳性能。DMOS 輸出晶體管可在高達 42V 的電源電壓下工作,并能以較高的開關速度高效工作。所有邏輯輸入均兼容 TTL、CMOS 和 μC。該器件的每個通道(半橋)由單獨的邏輯輸入控制,而兩個通道則由共同的使能控制。I.C. 安裝在三種不同的封裝中。
所有功能
高效率
內部邏輯電源
工作頻率高達 100 KHz
TTL 兼容驅動
電源電壓高達 48V
總有效值電流高達:L6201:1A;L6202:1.5A;L6203/L6201PS:4A
5A 最大峰值電流(L6201 最大 2A)
交叉?zhèn)鲗ПWo
熱關斷
RDS (ON) = 0.3 Ω(25°C 時的典型值)
產品屬性——L6201PSTR
產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器
產品:有刷直流電機驅動器
類型: 全橋
輸出電流: 2 A
工作電源電流: 15 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerSO-20
電源電壓-最大: 48 V
電源電壓-最小: 12 V
型號
品牌
封裝
數量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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