SPC56EL60L5CBFQR微控制器是基于 Power Architecture 技術(shù)的片上系統(tǒng)器件,其增強功能提高了該架構(gòu)在嵌入式應(yīng)用中的適用性,包括對數(shù)字信號處理 (DSP) 的額外指令支持,并集成了增強型時間處理器單元、增強型隊列模數(shù)轉(zhuǎn)換器、控制器局域網(wǎng)和增強型模塊化輸入輸出系統(tǒng)等技術(shù)。
SPC56EL60L5CBFQR 32 位微控制器是集成汽車應(yīng)用控制器的最新成果。它屬于不斷擴展的汽車專用產(chǎn)品系列,專為電動液壓助力轉(zhuǎn)向(EHPS)、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)和安全氣囊應(yīng)用而設(shè)計。
SPC56EL60L5CBFQR汽車控制器的主處理器內(nèi)核先進且經(jīng)濟高效,符合 Power Architecture 嵌入式類別標(biāo)準(zhǔn)。它的運行速度高達 120 MHz,提供高性能處理功能,并針對低功耗進行了優(yōu)化。它充分利用了當(dāng)前 Power Architecture 器件的可用開發(fā)基礎(chǔ)架構(gòu),并支持軟件驅(qū)動程序、操作系統(tǒng)和配置代碼,以協(xié)助用戶實施。
產(chǎn)品屬性:SPC56EL60L5CBFQR
核心處理器: e200z4d
內(nèi)核規(guī)格: 32 位雙核
速度: 120MHz
連接能力: CANbus,LINbus,SCI,SPI,UART/USART
外設(shè): DMA,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù): 96
程序存儲容量: 1MB(1M x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 大小: 128K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :3V ~ 3.63V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 32x12b
振蕩器類型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 125°C(TA)
等級: 汽車級
資質(zhì): AEC-Q100
安裝類型 :表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 144-LQFP(20x20)
封裝/外殼:144-LQFP
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(16x16)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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