商品名稱:BSZ050N03LSGATMA1
數(shù)據(jù)手冊:BSZ050N03LSGATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
功率 MOSFET 晶體管 BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN 集成電路芯片
產(chǎn)品介紹
BSZ050N03LSGATMA1 極低的柵極和輸出電荷,加上極低的導(dǎo)通電阻和較小的封裝尺寸,使OptiMOS? 25V成為要求嚴(yán)格的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和通信電壓調(diào)節(jié)器解決方案的最佳選擇。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:30 V
Id - 連續(xù)漏極電流:40 A
Rds On - 漏極-源極電阻:6.2 mOhms
Vgs - 柵源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極源閾值電壓:2.2 V
Qg - 柵極電荷:26 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散: 50 W
通道模式: 增強型
配置: 單通道
下降時間:3.6 ns
正向電導(dǎo)率 - 最?。?span style="font-size: 16px; white-space: pre;"> 38 S
高度:1.1毫米
長度: 3.3 mm
上升時間: 4 ns
晶體管類型: 1個N-溝道
典型的關(guān)斷延遲時間: 21 ns
典型的開啟延遲時間: 5.2 ns
寬度:3.3毫米
單位重量:38.760毫克
特點
減少了功率損耗
極低的柵極和輸出電荷
改善EMI性能,不需要外部緩沖網(wǎng)絡(luò)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
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