商品名稱:S27KS0643GABHB023
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24FBGA
貨期:全新原裝
庫存數量:3000 件
S27KS0643GABHB023 是一款 64Mbit 的偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)。HYPERRAM?是具備HyperBus? 接口的高速CMOS自刷新DRAM。 其存儲陣列的內部結構類似于DRAM,而外在行為則與SRAM相似。該PSRAM 適用于需要額外的RAM來緩沖數據、音頻、圖像和視頻等的應用,或者需要擴展存儲器用作便箋式存儲器,以進行數據密集型計算的應用。
產品規(guī)格:
存儲器類型:易失
存儲器格式:PSRAM
技術:PSRAM(偽 SRAM)
存儲容量:64Mbit
存儲器組織:8M x 8
存儲器接口:SPI - 八 I/O
時鐘頻率:200 MHz
寫周期時間 - 字,頁:35ns
訪問時間:35 ns
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VBGA
供應商器件封裝:24-FBGA(6x8)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMBG65R026M2H
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IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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