商品名稱:S80KS5122GABHI020
數(shù)據(jù)手冊(cè):S80KS5122GABHI020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
S80KS5122GABHI020 HYPERRAM? 存儲(chǔ)器是一種高速、低引腳數(shù)、低功耗自刷新動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,適用于需要擴(kuò)展存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)暫存器或緩沖用途的高性能嵌入式系統(tǒng)。HYPERRAM產(chǎn)品支持符合JEDEC JESD251規(guī)范的HYPERBUS?和八通道xSPI接口,利用了并行和串行接口存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)特性,同時(shí)提高了系統(tǒng)性能,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),降低了系統(tǒng)成本。 HYPERRAM的低引腳計(jì)數(shù)架構(gòu)使其特別適用于需要片外外部隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電源和電路板空間受限的應(yīng)用。
關(guān)鍵特性:
外形小巧 – FBGA封裝確保了較小的占板空間
低引腳數(shù) – 低引腳數(shù)有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低系統(tǒng)成本
低功耗 – 混合睡眠模式和部分陣列刷新可提高能效
高吞吐量 – 高讀/寫帶寬能最大限度地提高系統(tǒng)性能
產(chǎn)品規(guī)格:
存儲(chǔ)器類型:易失
存儲(chǔ)器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
存儲(chǔ)容量:512Mb
存儲(chǔ)器組織:64M x 8
存儲(chǔ)器接口:HyperBus
時(shí)鐘頻率:200 MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁:35ns
訪問時(shí)間:35 ns
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA(6x8)
基本產(chǎn)品編號(hào):S80KS5122
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…SP49T0512
SP49T0512是一款傳感器芯片,提供了非常高的集成度,并優(yōu)化以執(zhí)行實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(TPMS)傳感器模塊所需的所有功能。憑借其集成的微控制器、傳感器和便利的外設(shè),SP49T0512僅需增加少量被動(dòng)元件即可形成完整的TPMS傳感器組件。該設(shè)備的設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)最低的電…KP276A1201
KP276A1201是一款基于電容原理的微型數(shù)字絕對(duì)壓力傳感器。它采用表面微機(jī)械加工,并在BiCMOS技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了單片集成信號(hào)調(diào)理電路。此外,KP276A1201還提供了外部負(fù)溫度系數(shù)(NTC)溫度傳感器的接口。技術(shù)規(guī)格KP276A1201的主要規(guī)格包括:壓力類型:絕對(duì)工作壓力:1.45PSI ~ …F3L600R10W3S7
F3L600R10W3S7是一款EasyPACK? 4B 950 V、600 A三電平IGBT 模塊,具有 TRENCHSTOP? IGBT7和1200 V CoolSiC?肖特基二極管。特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)F3L600R10W3S7的特點(diǎn)帶三個(gè)基板EasyPACK? 4B具有四個(gè)快速開關(guān)的ANPC拓?fù)?50 V IGBT7和1200 V SiC二極管優(yōu)化雜散電感改進(jìn)Easy模塊壓裝…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…電話咨詢:86-755-83294757
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