TLE9854QXXUMA1 - 32 位單核 ARM? Cortex?-M0 - 微控制器 IC
型號:TLE9854QXXUMA1
封裝:VFQFN-48
類型:32 位單核微控制器
詳細說明:帶 LIN 和 H 橋 NFET 的 Arm? Cortex?-M0 微控制器,適用于汽車應(yīng)用
產(chǎn)品概述
TLE9854QXXUMA1 集成了 Arm? Cortex?-M0 處理器和用于電機控制、電源和通信的外設(shè)。兩個用于監(jiān)控溫度和電池電壓的集成測量單元(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)和四個監(jiān)控輸入有助于節(jié)省引腳。這些輸入可直接使用電池電壓,從而節(jié)省了額外元件(如外部分壓器或關(guān)斷晶體管)的成本。
功能概述
32 位 Arm? Cortex? - M0 內(nèi)核,頻率高達 40 MHz
5.5 V 至 28 V 單電源供電
閃存 64 KB,RAM 高達 4 KB
1x LIN 收發(fā)器
2x UART,2x SSC
帶電荷泵和 PWM 發(fā)生器的 2 相橋式驅(qū)動器
1 個低端并聯(lián)電流檢測放大器
1 個 10 位 ADC/12 ch 和 1 個 8 位 ADC/9 ch
9 個 16 位定時器,1 個 24 位定時器
溫度范圍 Tj:-40°C 至 150°C
采用 VQFN-48 封裝,應(yīng)用占用空間極小
應(yīng)用
汽車主機
汽車儀表盤
帶內(nèi)部和環(huán)境光控制功能的車頂控制模塊
智能樓宇
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 600MHz ROMless 320-LFBGA(17x17)
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 300MHz ROMless 320-LFBGA(17x17)
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 450MHz ROMless 320-LFBGA(17x17)
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 600MHz ROMless 320-LFBGA(17x17)
Microchip
28-UQFN
1200
MIPS32? microAptiv? PIC? 32MM 微控制器 IC 32 位單核 25MHz 128KB(128K x 8) 閃存 28-UQFN(4x4)
Microchip
64-QFN
1200
MIPS32? microAptiv? PIC? 32MM 微控制器 IC 32 位單核 25MHz 128KB(128K x 8) 閃存 64-QFN(9x9)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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