商品名稱:NVMFS6H801NWFT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS6H801NWFT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NVMFS6H801NWFT1G 是一款采用5x6mm 扁平引線封裝且具有較高的熱性能、80 V,157 A,2.8 mΩ功率MOSFET,適用于緊湊和高效設(shè)計的汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):23A(Ta),157A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):2.8 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):64 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4120 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),166W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
供應(yīng)商器件封裝:5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
基本產(chǎn)品編號:NVMFS6
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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