商品名稱:NVTFWS052P04M8LTAG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVTFWS052P04M8LTAG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:WDFN-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVTFWS052P04M8LTAG - 40V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品描述
NVTFWS052P04M8LTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管,采用 3.3x3.3 wDFN8 封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。該產(chǎn)品通過(guò)了 AEC-Q101 認(rèn)證,具有 PPAP 能力,適用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.7A(Ta),13.2A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 69 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 95μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 6.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 424 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 2.9W(Ta),23W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí) 汽車級(jí)
資質(zhì) AEC-Q101
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 8-WDFN(3.3x3.3)
封裝/外殼 8-PowerWDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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