商品名稱:SAK-TC397XP-256F300S BC
數據手冊:SAK-TC397XP-256F300S BC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:LFBGA292
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
英飛凌發(fā)布其第二代 SAK-TC397XP-256F300S BC AURIX微控制器,采用嵌入式閃存40納米技術。它在性能、內存大小、連接性和更多的可擴展性方面又有了提高,以應對新的汽車趨勢和挑戰(zhàn)。這個系列有20多種產品,提供最可擴展的安全微控制器組合。在性能方面,最高端產品TC39x提供6個內核,運行頻率為300 MHz,嵌入式RAM高達6.9 MBytes,功耗低于2 W。其鏡像嵌入式閃存庫提供A/B交換功能。
主要特征:
6個三核,運行頻率為300 MHz(另有4個檢查器內核,提供4000 DMIPS)。
所有內核都支持浮點和定點計算
16MB閃存/ECC保護
2.9 MB SRAM/ECC保護
1 Gbit以太網
12x CAN FD, 2x FlexRay, 12x LINs, 4x QSPI, 2x I2C, 25x SENT, 6x PSI, 2x HSSL, 4x MSC, 1x eMMC/SDIO
冗余和多樣化的定時器模塊(GTM , CCU6 , GPT12)
EVITA全HSM (ECC256和SHA2)
BGA-292封裝
支持ISO 26262 ASIL-D
支持AUTOSAR 4.2
單電壓供電 5 V或3.3 V
溫度-40°C至125°C
系統(tǒng)優(yōu)勢:
一流的性能支持ASIL-D設計
可向下擴展至低成本的AURIX TC3xx微控制器
支持A/B交換軟件的空中更新
由于軟件和硬件的兼容性,可以輕松地從AURIX第一代產品遷移。
應用:
動力系統(tǒng)應用:
變速箱
汽油多孔噴射 - 分離式解決方案
汽油直噴
駕駛域控制器(DDC)
自動變速器--液壓控制
雙離合變速器--液壓控制
雙離合變速器--電氣控制
48V微型混合動力
(H)EV應用:
(H)EV電池管理系統(tǒng)
電動汽車充電站
(H)EV主逆變器
DC-DC轉換器
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。技術參數IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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