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UCC21738QDWRQ1是一款电隔离单通道栅极驱动器，专为 SiC MOSFET 设计，设计用于高达 2121 V DC 工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT设计的电隔离单通道栅极驱动器，工作电压高达 2121V，具有先进的保护功能、同类最佳的动态性能和稳健性。该器件具有高达±输入端与输出端采用 SiO2 电容隔离技术进行隔离，支持高达1.5-kVRMS 工作电压，12.8-kVPK 浪涌抗扰度输入端与输出端采用 SiO2 电容隔离技术隔离。

产品属性

技术：容性耦合

通道数：1

电压 - 隔离：5700Vrms

共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：130ns，130ns

脉宽失真（最大）：30ns

上升/下降时间（典型值）：28ns，24ns（最大）

电流 - 输出高、低：10A，10A

电流 - 峰值输出：10A

电压 - 输出供电：13V ~ 33V

等级：汽车级

资质：AEC-Q100

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装：16-SOIC

认证机构：UL，VDE

应用

● 电动汽车牵引逆变器

● 车载充电器和充电桩

● 用于 HEV/EV 的直流-直流转换器

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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