商品名稱:CYAT61659-56LWS41
數(shù)據(jù)手冊:CYAT61659-56LWS41.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:56-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CYAT61659-56LWS41英飛凌科技車用PSoC?、TRAVEO? T2G和AURIX?微控制器 (MCU) 提供全面的產(chǎn)品范圍,其中包括最先進的32 位微控制器。這些MCU提供強大的性能、面向未來的安全解決方案以及傳統(tǒng)的8位和16位微控制器。32位MCU產(chǎn)品組合包括TRAVEO、T2G、Auto PSoC(基于Arm? Cortex-M技術)以及采用TriCore?技術的AURIX。英飛凌各種微控制器產(chǎn)品組合為汽車、工業(yè)和消費類市場的各種應用提供可擴展的高性能解決方案。
產(chǎn)品屬性
觸摸屏:2 線電容
接口:I2C,SPI
電壓 - 供電:1.71V ~ 1.95V,3V ~ 5.5V
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
封裝/外殼:56-VFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:56-QFN-EP(8x8)
應用
● 智能傳感器
● 駕駛員信息(例如儀表組和HUD)和HMI
● 車身和連接
● 底盤和安全
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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